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Siの限界を打破するSiC/GaN半導体パワー・デバイスの普及が目前に!

グリーン・エレクトロニクス No.9

ワイドギャップ半導体の研究

 現在使用されている最先端のパワー・デバイスはSi(シリコン)という半導体材料がもつ性能を,ほぼ限界まで引き出しており,Siの物性の限界から大幅な発展は困難な状況です.そんななかで,近年,大きな注目を集めているのが,ワイド・バンド・ギャップ半導体デバイス(ワイドギャップ半導体)です.本書では,半導体デバイスの動作原理について説明し,なぜワイドギャップ半導体によって優れたパワー・デバイスが実現できるかを説明します.
  • トランジスタ技術SPECIAL編集部 / 編
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