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実験で学ぶ高効率・低雑音スイッチング+E級アンプ

パワーMOS FETの高速スイッチング応用

パワーMOS FETによるスイッチング技術は,電気エネルギー利用の高効率化に寄与していますが,スイッチング時の過渡的な損失をいかにして減らすかが大きな課題です.本書ではその極みともいえる高効率・低雑音のE級アンプ技術を実験と試作をとおして解説します.
  • 稲葉 保 / 著
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  • 定価2,640円(税込)
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