Siの限界を打破するSiC/GaN半導体パワー・デバイスの普及が目前に！

グリーン・エレクトロニクス No.9

ワイドギャップ半導体の研究

	半導体の動作原理について説明し，ワイドギャップ半導体によって優れたパワー・デバイスが実現できることを説明します．なかでも非常に有望な材料であるSiCとGaNについて，材料の特徴，基礎研究の進展具合，デバイスの開発状況について紹介します． トランジスタ技術SPECIAL編集部 ／ 編 好評発売中！ 定価2,420円(税込)