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Siの限界を打破するSiC/GaN半導体パワー・デバイスの普及が目前に!

グリーン・エレクトロニクス No.9

ワイドギャップ半導体の研究

半導体の動作原理について説明し,ワイドギャップ半導体によって優れたパワー・デバイスが実現できることを説明します.なかでも非常に有望な材料であるSiCとGaNについて,材料の特徴,基礎研究の進展具合,デバイスの開発状況について紹介します.
  • トランジスタ技術SPECIAL編集部 / 編
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  • 定価2,376円(税込)
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