目次


プロローグ　パワー・エレクトロニクス用半導体デバイスの重要性
■ コラム　次世代DVD実現のキー・デバイス…GaN紫色半導体レーザ・ダイオード

スイッチング素子としての応用面から見た
第1章　パワー・エレクトロニクス用半導体の性能指標
■ パワー・デバイスの性能指標
■ スイッチング・デバイスの性能指標
■ 簡単なパワー回路での性能指標の重要性の確認
■ スイッチング損失が重要なパワー回路の例
■ コラム　スイッチングと増幅の違い

パワー・デバイスの動作原理を理解するために
第2章　半導体デバイスの基礎知識
■ エネルギー・バンド理論による金属/半導体/絶縁体の区別
■ 真性半導体と外因性半導体
■ 半導体内での電気伝導
■ キャリアの生成・再結合
■ 金属-半導体接合
■ pn接合
■ JFET構造
■ MOS構造
■ HEMT構造
■ パワーMOSFETの断面図の読み解きと動作特性
■ パワーIGBTの断面図の読み解きと動作特性

パワー・デバイスで最も重要な性能指標
第3章　耐圧とオン抵抗のトレードオフ
■ 半導体の絶縁破壊の基礎〜なだれ破壊とツェナー破壊
■ 単純なpn接合ダイオードの解析
■ Siユニポーラ・リミット
■ ワイドギャップ半導体
■ コラム　別の方法でSiユニポーラ・リミットを越える〜超接合のコンセプト

温度が高くなるとどのようなことが起こるのか
第4章　動作可能温度を決める要因
■ 温度が高くなると起こること
■ 半導体のキャリア密度の温度変化の解析

材料開発の歴史から今後の展望まで
第5章　SiCパワー・デバイスの開発状況
■ SiC材料開発の歴史と現状
■ いろいろな結晶構造のSiC
■ SiC SBDはすでに商品化，いよいよ普及段階
■ SiC MOSFET…次世代パワー・デバイスの最本命
■ SiC JFET…ノーマリ・オンだが実力は素晴らしい
■ SiC BJT…BJTのリベンジなるか?
■ SiC PiNダイオード，SiC IGBT…過去に類を見ない究極の超高耐圧パワー・デバイス
■ 今後のSiC
■ コラム　宝石としてのSiC
■ コラム　MOSFETに関しては3C-SiCにチャンス
■ コラム　ワイドギャップ半導体は日本発！

次世代パワー・デバイスの本命となるか
第6章　GaNパワー・デバイスの開発状況
■ GaN材料開発の歴史
■ GaNパワー・デバイス
■ HEMTのノーマリ・オフ化
■ GaN/Siパワー・デバイス…Siに迫る低コスト
■ 今後のGaN

Appendix　SiC MOSFETのスイッチング動作
■ SiC MOSFETの素子の電圧-電流特性
■ ゲート駆動回路
■ スイッチング動作


GE Articles

シリコン・カーバイド半導体によるアプリケーション
SiC JFETで作るオーディオ・アンプ
■ 使用するFETの特徴
■ ノーマリ・オン型FETの応用
■ 実用アンプを構成する
■ SiC JFETステレオ・アンプの特性
■ コラム　理論効率

高効率で低ノイズな電源回路を実現できる
PFC機能を備えたLLCコントローラIC PLC810PG
■ LLC制御IC PLC810PG
■ PLC810PGのLCDテレビへの応用例
Appendix-A　オン・セミコンダクターのLLC電源
Appendix-B　フェアチャイルドのLLC電源
Appendix-C　NXPセミコンダクターズのLLC電源
Appendix-D　STマイクロエレクトロニクスのLLC電源
Appendix-E　テキサス・インスツルメンツのLLC電源

切り忘れ防止，タコ足による過電流検出，待機電力チェック
無駄減らし効果が目に見える三つの消費電力メータ
■ テーブル・タップ用電力メータAの製作
■ 0.1W精度で測れる液晶ディスプレイ付き電力メータ
■ 無線で飛ばしてロギングする大電力測定型
■ Supplement　電力メータAのMSP430のソフトウェア
■ コラム1　警告！電力測定は危険がいっぱい
■ コラム2　市販の消費電力メータ
■ コラム3　電力を高精度に測定できるA-Dコンバータとは