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POWER ELECTRONICSシリーズMOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際【オンデマンド版】
IGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)は，MOS FETとバイポーラ・トランジスタの長所を活かしたパワー・デバイスです．パワー・デバイスとは，電源やモータ制御などのように電力を消費する電子回路で使用される半導体素子で，エアコンや冷蔵庫のコンプレッサなどの小容量の機器から電車のモータ駆動装置のような大容量のものまで，我々の周りのいろいろな電気機器に使われています．
本書は，このIGBTの活用方法について詳細に解説しています． ※本書はしばらくの間品切となっておりましたが，このたびオンデマンド版として販売することになりました． なお，電子版(PDF版)は継続して販売しております． 目次
第1章 IGBT の基礎知識 1.1 パワー半導体デバイスの種類 1.2 パワー半導体デバイスの構造と特徴 1.3 IGBTの最新技術 1.4 IGBTのいろいろな製品 1.5 パッケージの進化 1.6 IGBTの電気的特性 1.7 IGBTの選び方 1.8 IGBTモジュール選定の際の注意事項 1.9 IGBTを使用した装置 第2章 ゲート・ドライブ回路の設計 2.1 ゲート順バイアス電圧+VGE(ON期間) 2.2 ゲート逆バイアス電圧-VGE(OFF期間) 2.3 ゲート抵抗Rg 2.4 ドライブ電流について 2.5 デッド・タイムの設定 2.6 ゲート・ドライブ回路の具体例 第3章 保護回路の設計と並列接続 3.1 短絡保護と過電流保護 3.2 過電圧保護 3.3 過熱保護 3.4 電流分担の阻害要因 3.5 並列接続方法 第4章 放熱設計方法 4.1 発生損失の求め方 4.2 DCチョッパで発生する損失の計算方法 4.3 近似式を用いたPWMインバータの発生損失 4.4 損失シミュレーション・ソフトを用いた計算 4.5 ヒート・シンク(冷却体)の選定方法 4.6 過渡状態の熱方程式 4.7 ヒート・シンクの取り付け方法 4.8 サーマル・コンパウンドの塗布 4.9 IGBTモジュールの締め付け方法 第5章 ノイズ低減対策技術 5.1 インバータ・システムのEMC 5.2 EMI性能 5.3 インバータにおけるEMI対策 5.4 IGBTモジュールの適用におけるEMI対策 第6章 トラブル発生時の対処方法 6.1 故障の判定方法 6.2 代表的なトラブルとその対処方法 第7章 インテリジェント・パワー・モジュールIPM 7.1 IPMの特徴 7.2 IPMの機能 7.3 IPMに内蔵されている保護機能のタイミング・チャート 7.4 IPMの応用回路 |
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