目 次


Introduction　パワエレ回路は部品からおさえるべし


第1部　パワー・トランジスタ&ダイオードの回路技術

パワエレのコモンセンス
第1章　パワーMOSFETとスイッチング動作入門

高耐圧と低オン抵抗を両立できるSiCやGaNが期待される背景
第2章　パワーMOSFETの半導体構造とシリコンの限界

小型/高速/低損失の実力とこれからの課題
第3章　新しいパワーMOSFET…SiCとGaN

出力容量と動作周波数で用途によって使い分ける
Appendix 1　パワー半導体デバイスの使い分け方

パワーMOSFETと構造は似ているが得意/不得意が異なる
第4章　大電流スイッチング素子「IGBT」のしくみ

パワーMOSFETとIGBT，SiC MOSFETを比べる
第5章　実測比較！ SiC MOSFETと従来パワー半導体の性能

ダイオードのメカニズムと損失が発生する理由を把握する
第6章　数千V，数百Aに耐えるパワー・ダイオードのしくみ

よく使う数十W以下のスイッチング電源作りを例に
第7章　スイッチング電源に使えるダイオードの選び方

マイコン直結で200V級出力！ 高密度モジュールDIPIPM回路の研究
第8章　インバータ機器向けパワー・モジュールに見るパワエレ・パターン設計の勘どころ

数百Vより上のパワー半導体の世界もおさえる
第9章　まだ現役！ サイリスタ&トライアック


第2部　パワー・トランス&コイル…しくみと特性

電源回路の性能を左右するキーパーツ
第10章　スイッチング電源用トランスの基礎

トランス/コイルの最適設計に重要な指標をシミュレーションで確認する
第11章　高効率化のための基本パラメータ(1) 磁束密度

試作の前に高精度に設計検証
第12章　高効率化のための基本パラメータ(2) インダクタンス

計測が難しい導体内の電流をシミュレーションで検証
第13章　高効率化のための基本パラメータ(3) 電流密度と抵抗損

磁気シミュレーションの結果を回路シミュレーションに取り込む
Appendix 2　トランスのモデルと回路シミュレーションの連係

電線を使わずに電気エネルギーを伝える不思議な部品
第14章　トランスを磁気の目で見てみよう

磁気のふるまいを電気に置き換えて理解しよう
第15章　磁気回路によるインダクタンスの計算


第3部　パワエレ向けコンデンサ…しくみと特性

誘電体の材料と構造が特性を決めている
第16章　コンデンサの種類

電源の平滑回路用によく使われる
第17章　小型大容量を得られるアルミ電解コンデンサ

自動車の動力系に欠かせない
第18章　高耐圧で周波数特性に優れるフィルム・コンデンサ


第4部　パワエレに必須の保護部品…しくみと特性

役割/使われどころから種類/構造まで
第19章　ヒューズの基礎知識

エレメントの構造と溶断特性の相違
第20章　ヒューズの動作原理

感電や発煙，発火などを防ぐために決められている
Appendix 3　各国のヒューズ安全規格

定格電圧/電流からディレーティングの設定まで
第21章　ヒューズ選定の手順

電源投入時の突入電流の測り方から寿命計算まで
第22章　具体例で示すヒューズの正しい選び方

材料や環境によって沿面/空間距離が決められている
第23章　ヒューズを実装する際の考慮点

温度ヒューズ/復帰型電流保護素子/サージ吸収素子/突入電流防止回路
第24章　電流ヒューズ以外の保護素子


※ 本書は「トランジスタ技術」誌に掲載された記事を元に再編集したものです．