目次

従来のMOSFETと同じように使える！高安全性・高信頼性ノーマリOFF型誕生！
特集　30MHz/10kWスイッチング！超高速GaNトランジスタの実力と応用

基本構造から応用製品まで
第1章　GaNパワー・デバイスの現状
■デバイス構造
■デバイス性能
■GaNを搭載した回路
■GANパワー・デバイスが搭載された製品

GaNパワー・デバイスを中心に…
第2章　最新ワイドギャップ・パワー・デバイスの基本特性比較
■GaN HEMTの基本構造
■デバイスの損失
■基本特性の比較
■各デバイスの比較
■デモボード評価

耐熱性が高く小型軽量で高効率が望まれる
第3章　GaN素子の電気自動車インバータへの応用の可能性
■電気自動車技術の進歩
■電気自動車にとっての新素子の価値
■GaN素子を用いたモータ駆動の初期的試験

超低ロス・超高速！最新パワー・デバイスを試す
第4章　GaNトランジスタTPH3006PSで作る効率99%の300Wインバータ
■GaNトランジスタの特性をチェック
■DC-ACインバータの回路を検討する
■どのPWM 方式を採用するか
■実験回路を設計する
■トランスフォーム社のリファレンス・ボードを調べる
■リファレンス・ボードの活用をどうするか
■ハーフブリッジ・リファレンス・ボードを使用したブリッジ・インバータの設計
■制御回路を設計する
■動作実験

第2特集　SiCトランジスタで作る5kW超小型インバータ

小型・大電力・高効率の電源を目指して…
第1章　スイッチング特性から見たSiC MOSFETとSi IGBTの比較
■SiC MOSFETの形状と静特性
■ハード・スイッチング時の特性評価
■特性と使用上の注意点
■動作させる回路方式

高周波動作で小型&軽量
第2章　SiC MOSFETを使った5kW高効率LLCコンバータの試作
■LLC 共振回路構成と動作
■高電圧/高周波でコンバータを大電力化するうえでの設計方針
■共振回路の設計
■SiC MOSFET を使った5kW コンバータの試作

GE Articles

デバイス

負荷変動をもつセットに対してメリットが発揮できる
HybridMOS〜内部構造で異なる新型MOSFETの性能〜
■スイッチング・デバイスの内部構造の違いと動作原理
■HybridMOS の使いどころ
■HybridMOS と他デバイスとの性能比較
■HybridMOS のメリットとデメリット
■HybridMOS の今後の展開
■コラム　 HybridMOS 誕生の背景

解説

AC電源ライン・フィルタのLTspiceによる最適化検証
ケース入りノイズ・フィルタのコモン・モード・チョーク実装位置による高域減衰特性の悪化を防ぐ
■ケース入りノイズ・フィルタ…内部レイアウト
■ノイズ・フィルタの回路解析
■伝導妨害波の確認